等離子蝕刻設備射頻電源工作原理：當chamber內部之壓力低到某一程度(約10-1 torr左右)時(shí), 氣態(tài)正離子開(kāi)始往負電極移動(dòng), 由于受電場(chǎng)作用會(huì )加速撞擊負電極板, 產(chǎn)生電極板表面原子, 雜質(zhì)分子和離子以及二次電子(e-)…等, 此e-又會(huì )受電場(chǎng)作用往正電極方向移動(dòng), 于移動(dòng)過(guò)程會(huì )撞擊chamber內之氣體分子(ex. : Ar原子…等), 產(chǎn)生Ar+等氣態(tài)正離子, 此Ar+再受電場(chǎng)的作用去撞擊負電極板, 又再產(chǎn)生表面原子以及二次電子(e-)…等, 如此周而復始之作用即為Plasma產(chǎn)生之原理